中芯国际核心技术人员离职， 曾主导开发N+1工艺
中芯国际称，目前公司的技术研发工作均正常进行，吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。
一位曾在中芯国际的研发人员告诉第一财经，吴金刚主导开发了中芯国际N+1工艺。根据中芯国际公告，吴金刚于2001年加入中芯国际，2001 年至 2014 年，历任助理总监、总监、资深总监，2014 年至今担任技术研发副总裁，任职期间负责参与中芯国际FinFET 先进工艺技术研发及管理工作。
在今年一季度财报会上，中芯国际透露，先进工艺方面，其第一代 FinFET工艺已经进入量产阶段，产品良率达到业界标准，多个衍生平台开发按计划进行，NTO（new tape out）稳步导入，正在实现产品的多样化目标；第二代FinFET工艺进入风险量产。不过，实体清单管制给先进制程带来的风险和不确定性也更大。
上述员工表示，吴金刚与中芯国际联席CEO梁孟松“不对付”或许是其离职原因之一，“在研发，梁孟松是土皇帝，说一不二。”
中芯国际称，公司研发团队总体相对稳定。吴金刚已完成与研发团队的工作交接， 吴金刚的离职不会对公司的技术研发和生产经营带来实质性影响，不会影响公司持有的核心技术。
公告显示，“吴金刚自离职次日起的12 个月内不得帮助公司竞争对手、为其工作、被其雇佣、向其提供服务、供应产品或充当公司的竞争对手；不加入任何与公司业务存在竞争关系的公司或为其提供服务，包括但不限于作为其投资人、股东、董事、 监事、经理、顾问或扮演其他任何角色。”
在5月20日，中芯国际公告的《2021 年科创板限制性股票激励计划首次授予部分激励对象名单》显示，作为核心技术人员的吴金刚曾获授限制性股票16万股。
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