存储器数千亿市场外资瓜分大半 长鑫存储自主之路逐渐破冰
《投资者网》 温佳琦
编辑 吴悦
半导体存储器领域，目前闪存（NAND Flash）和内存(DRAM)市场主要被美韩日等国外几家企业所垄断，如韩国三星、海力士、美国镁光、日本东芝等，其中国际DRAM市场中，三星连续10多年蝉联世界第一，市占率维持在60%。
商业世界里，一个行业高度垄断造成的一个结果是：头部厂商有可能操纵产量和价格，用低价来挤垮竞争对手，或用涨价来谋取暴利。
在存储芯片行业，此前《投资者网》分析了长江存储的发展历程和现状，在《3D NAND闪存市场，长江存储如何破围而出？》一文中剖析了NAND Flash市场的情况，本文主要分析另外一个DRAM市场国内企业——长鑫存储技术有限公司（以下简称“长鑫存储”）。
内存发展史
纵观内存芯片全球发展史，围绕DRAM产业发展而产生的激烈竞争此起彼伏。
1966年DRAM之父罗伯特·登纳德，在IBM研发中心成功研发出MOS 型晶体管+电容结构，半导体存储器的发展从此开启。70年代存储器市场涌现出Intel、TI、Mostek、NEC等。行业发展早期，Intel依靠DRAM量产实现一家独大，后期Mostek利用技术升级成为市场霸主。
日本看到DRAM市场潜力后，在70年代末期以举国体制发展DRAM技术，并在80年代中期依靠物美价廉的DRAM产品快速占领全球市场，迫使Intel彻底放弃DRAM。1985年日美关系发生转变，美国开始对日本半导体产品发起反倾销诉讼，致使日本产品性价比极速下降。
此时产业的发展机会转向了韩国，三星通过购买专利叠加自研的方法迅速崛起，随后在 DRAM领域继续保持着高投入研发，最终实现技术超越成为新巨头。在经过日韩两国之间不断的价格战，激烈竞争的大浪淘沙后，市场玩家剩下三星、SK海力士、奇梦达、美光、尔必达这五家。
2007年微软推出Vista系统，提高了对内存的消耗，各大厂商纷纷扩大产能以应对市场需求，结果Vista销量平淡，供过于求的DRAM价格便一路下滑，并在2008年全球金融危机中跌破材料成本。
此时的三星为了提高市场占有率，不惜亏本扩大产能加剧行业亏损，导致奇梦达和尔必达接连被淘汰。在历经多年搏杀后，全球DRAM厂商逐渐从“群雄逐鹿”变成“三足鼎立”。
2016年手机内存需求的快速增长导致全球内存芯片缺货，而内存条价格也跟着水涨船高，比如当时一根DDR4 8G PC用内存条价格一度涨到900元。 据Business korea报道，内存价格大涨的背后可能不全是市场因素，是三星、美光等存储公司通过削减产量、减少供应的方式，抬高了DRAM的价格。
国内DRAM发展之苦
中国是世界最大的电子产品制造国，根据历年来海关总署统计的半导体产业进出口数据，可以看到国内企业每一年花在存储器采购上的资金，高达几千亿美元，并且在一直往上攀升。
但由于没有掌握相关核心技术，我国在DRAM的产品定价上一直受制于国际巨头，手机、PC厂商经常遇到DRAM缺货情况。而头部厂商对DRAM市场的垄断和价格操纵，使国内的企业深受其苦。
其实这很大程度上是我们的产业基础没有打扎实，我们可以回顾下国内的产业发展历程中的一些关键性节点。
·1975年，北京大学物理系半导体研究组在109厂采用硅栅NMOS技术，试制出中国大陆第一块1K DRAM，比美国、日本晚五年；
·1978年中科院半导体所成功研制4K DRAM；
·1981年中科院半导体研究所成功研制16K DRAM（比韩国晚两年）；
·1985年中科院微电子中心研制成功64K DRAM（比韩国晚一年）；
·1993年无锡华晶制造出第一块256K DRAM（比韩国晚7年）；
·1997年亚洲金融危机爆发，华晶遭遇巨额亏损，最终只能选择转型；
·1999年上海华虹量产出64M的DRAM，但由于市场环境恶化，华虹失去日本企业NEC的技术支持，华虹宣布退出DRAM并转型做晶圆代工业务；
·2004年中芯国际开始进军DRAM领域；
·2008年中芯国际深陷与台积电的官司，被迫放弃了DRAM业务，标志着大陆企业在DRAM领域的尝试，均已失败告终。
不难看出，存储器和芯片市场都是国内相当薄弱的环节，要想发展则需要从国外垄断企业中抢夺市场份额。
长鑫存储应运而生
如果要用一句话来形容长鑫存储所在的存储器行业环境，这句“东方风来满眼春，潮起正是扬帆时”最贴切不过。
2016年5月在“创新之都”合肥，一个上千亿投资规模的芯片制造项目正式启动——长鑫存储，它是中国首个内存芯片自主制造项目，填补了国内DRAM生产制造领域的空白。
长鑫存储自组建之日起便成为业界焦点，原因是芯片国产替代势在必行，而替代需求最为迫切的便是DRAM芯片。
2019年长鑫存储携带着国内首颗自主研发的8GB DDR4闪亮登场，一举成为中国发展DRAM的希望之“芯”。
内存芯片技术门槛如此之高，长鑫存储是如何实现快速跨越的呢？
据悉，长鑫存储的核心技术来源于奇梦达遗留的DRAM专利，后来为了规避可能存在的专利风险，长鑫存储投入25 亿美元的研发费用对原有芯片架构进行重新设计，将产品进行了更新换代。
基于这一专利技术，长鑫存储又成功量产出19nm工艺的DDR4和LPDDR4，成为全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商，是目前中国大陆唯一能够自主生产DRAM的厂商。
从DRAM三巨头及长鑫存储工艺尺寸发展历程来看，全球前三大厂商—三星、SK海力士、美光于2016-2017年进入1Xnm(16nm-19nm)阶段，2018-2019年进入1Ynm(14nm-16nm)阶段，2020年进于1Znm(12nm-14nm)时代 。
在后续的发展过程中，供应商在路线图上又扩展了三代DRAM，这些被称为1anm，1bnm和1cnm。目前，内存芯片进入第四阶段1anm（10nm）的研发。
据悉，三星已于2020年上半年完成首批1anm（10nm）制程DRAM的出货，2021年美光和SK海力士也开始量产第四代10nm DRAM产品，而长鑫存储目前仍处于1Xnm（16nm-19nm）阶段，与国际先进水平相比，仍存在一定差距。
产能方面，长鑫存储表示，2021年公司已经实现6万片／月的DRAM产能，预计2022年能翻一番，达到12万片／月的产能，未来的目标是实现30万片／月的产能。
公开资料显示，截止2021年，全球DRAM总产能大约是150万片／月，预测到2022年底，会提升至160万片／月左右，届时长鑫存储的12万片产能将获得全球市场份额的8%左右。
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