0.1nm！央视：国内首台光镜镀膜设备投用，光刻机的最后一块拼图

　　根据零部件效力程度划分，EUV光刻机共分三个核心部件：双工件台、EUV光源、EUV光学镜头。目前我国已经成功攻坚适用于EUV光刻机设备的EUV光源、双工件台系统。EUV光学镜头成为我国实现高端芯片制程的最后一块拼图。

　　我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。本期为大家带来的是：0.1纳米以下，中科科美正式投用的直线式劳埃透镜镀膜装置、纳米聚焦镜镀膜装置。国内首台高能光源设备步入安装阶段。

　　老规矩，开门见山。据“央视新闻联播”报道，由国家发改委立项支持、中科院高能物理研究院承建，国内首台高能同步辐射光源科研设备于2021年6月28日上午安装。与此同时，负责为这台光源设备提供技术研发与测试支撑能力的先进光源技术研发与测试平台启动试运行。

　　此外，中科科仪旗下的中科科美也传来佳讯，其研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置于2021年6月28日正式投入使用。央视新闻联播对此也作出报道。

　　中科院高能物理研究院与中科科仪取得的进展、成就，将给我国的半导体行业带来怎样的变化呢？首先我们得了解“高能同步辐射光源”、“直线式劳埃透镜镀膜装置以及纳米聚焦镜镀膜装置”的作用以及主要应用范围。

　　首先是中科科仪推出的镜镀膜装置。据了解，镜镀膜装置可满足大多数物理镜头对膜层制备的工艺需求。诸如聚焦镜、单色镜、劳埃镜、纳米聚焦镜以及用于EUV光刻机当中的光镜头。

　　在这里补充一下光学镀膜的作用。从广义来讲，光学镀膜指代在光学零件上镀上一层或多层介质薄膜的工艺过程。好的镀膜工艺可以提高或降低光学零件对光的反射、分束、分色、滤光以及偏振等要求。中科科仪正式推出投用的设备是制程难度最高、应用范围最广的真空镀膜。

　　让我们将重点放在EUV光刻镜头上。由于EUV光刻镜头是面向更高制程、更多数量的硅基晶体管芯片，EUV光刻机对镜头镜面光洁度的要求极高，即镜面光洁度不得超过50皮米。什么概念呢？将整个云南省推平，平面高度不得超过5厘米。目前唯一能够生产EUV光刻机镜头的只有德国的蔡司，但蔡司能够达到制备EUV光刻镜头的工程师也只有20余人。

　　前面提到，光学镀膜可以在一定程度上提高光学零件对光的有效作用力。中科科仪投用的真空镀膜设备能够将膜厚精度控制在0.1纳米（100皮米）以内，实现高精度纳米量级万层镀膜工艺。且令人振奋的是，中科科仪推出的镀膜设备，从关键零部件生产到整套设备系统的运行机制，所包含的技术都掌握在自己手中的，是实打实的国产货。

　　中科科仪推出的镀膜装备，适用于光刻机镜头的制备，一定程度上能够降低国产设备厂商在光刻镜头项目中面临的压力，加速国产半导体厂商在光刻镜头项目中的进展。中科科仪的镀膜设备能够实现对光学零件0.1纳米（100皮米）的万层镀膜需要，可以提高我国光刻镜头的水准，助力我国实现先进制程芯片自主化生产的目标。

　　结合中科院高能物理研究院正在安装的高能同步辐射光源，可谓是双管齐下。据了解，截至2021年6月底，中科院高能物理研究院正在进行的“高能同步辐射光源安装项目”已经完成了70%。与之相匹配的设备单位，预计将在2022年初完成设备的全部交付使用。

　　值得一提的是：高能同步辐射光源是全球亮度最高的第四代同步辐射光源之一，可满足大多数航天以及半导体行业对于光源制程的需求，其中包括芯片制程。高强度的光源可以在一定程度上降低高端芯片对于光刻机设备的制程难度，为我国高端芯片制程的发展提供重要设备保障。

　　与中科科仪推出的镜镀膜设备一样，我国的这台高能同步辐射光源设备，具备全国产技术、自主设计、国内加工的特点。中科院与中科科仪在半导体光源领域中取得的成就，弥补了我国在高端光学设备领域中的空白。为我国在基础科学、工程科学等领域实现性、突破性创新研究的目标，提供了重要支撑平台。

　　伴随国家对半导体行业的重视，国产厂商在半导体领域中实现了许多从无到有的突破。照此趋势下去，相信我们距离实现先进制程芯片自主化生产的目标已经不远了。祝愿国产半导体厂商能够愈发强大，早日解决半导体核心技术卡脖子的问题，在半导体领域中所向披靡。

　　对于我国首台高能光源设备步入安装阶段，大伙有什么想说的呢？结合中科科美与高能物理研究院在半导体领域中取得的相关进展，你认为我们距离实现高端芯片自主化生产的目标还有多远呢？欢迎在下方留言评论，我是柏柏说科技，资深半导体爱好者。关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。

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