安信证券：维持新洁能(605111.SH)“买入”评级 目标价213.5元
智通财经APP获悉，安信证券发布研究报告，维持新洁能(605111.SH)“买入”评级，目标价213.5元，预计2021-23年收入为15.63/20.96/26.81亿元，归母净利润为3.84/4.91/5.75亿元。
事件：11月11日公司发布公告，拟募集资金总额不超过145000.00万元(含145000.00万元)，拟投入募集资金20000万元投入第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目，60000万元投入功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化项目，50000万元投入SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目。
安信证券主要观点如下：
新能源汽车、光伏发电发展迅速，打开第三代半导体功率器件需求：
新能源车销量持续超预期使得SiCMOSFET有望成为最畅销的功率器件，在光伏发电应用中，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。射频领域，据报告，全球氮化镓射频器件市场规模有望在2025年达到20亿美元，在高频率、高功率应用场景下，氮化镓射频器件预计持续替代硅基LDMOS。
《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。受益新能源汽车、充电桩、光伏逆变、5G通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业的发展，SiC/GaN产品规模有望持续扩张。
定增项目有望增强公司竞争力，推进产品结构升级：
公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，本次拟募集资金总额不超过145000.00万元(含145000.00万元)，拟投入募集资金20000万元投入第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目，建设周期24个月，内部收益率(税后)为18.96%，投资回收期(税后，含建设期)为6.32年;
60000万元投入功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化项目，建设周期36个月，内部收益率(税后)为18.08%，投资回收期(税后，含建设期)为6.41年;50,000万元投入SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目，建设周期36个月，内部收益率(税后)为14.38%，投资回收期(税后，含建设期)为7.85年。
拟执行股票激励计划，增强员工激励力度：
公司11月11日发布《2021年限制性股票激励计划(草案)》，拟向激励对象授予的限制性股票数量为141.68万股，约占本激励计划公告时公司股本总额14168万股的1%，第一个解除限售期2022年公司营业收入总额不低于16亿元，第二个解除限售期2023年公司营业收入总额不低于18亿元，第三个解除限售期2024年公司营业收入总额不低于20亿元。员工持股计划有助于增强员工激励，提升公司竞争力。
风险提示：定增项目不及预期;股权激励计划发行不及预期;行业景气度不及预期;产品研发不及预期;市场开拓不及预期。
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事件：11月11日公司发布公告，拟募集资金总额不超过145000.00万元(含145000.00万元)，拟投入募集资金20000万元投入第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目，60000万元投入功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化项目，50000万元投入SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目。
安信证券主要观点如下：
新能源汽车、光伏发电发展迅速，打开第三代半导体功率器件需求：
新能源车销量持续超预期使得SiCMOSFET有望成为最畅销的功率器件，在光伏发电应用中，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍。射频领域，据报告，全球氮化镓射频器件市场规模有望在2025年达到20亿美元，在高频率、高功率应用场景下，氮化镓射频器件预计持续替代硅基LDMOS。
《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》指出，2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元，预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度，到2022年市场规模将达到623.42亿元。受益新能源汽车、充电桩、光伏逆变、5G通讯、激光电源、服务器和消费电子快充等高端新兴行业的发展，SiC/GaN产品规模有望持续扩张。
定增项目有望增强公司竞争力，推进产品结构升级：
公司为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，本次拟募集资金总额不超过145000.00万元(含145000.00万元)，拟投入募集资金20000万元投入第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化项目，建设周期24个月，内部收益率(税后)为18.96%，投资回收期(税后，含建设期)为6.32年;
60000万元投入功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化项目，建设周期36个月，内部收益率(税后)为18.08%，投资回收期(税后，含建设期)为6.41年;50,000万元投入SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块(含车规级)的研发及产业化项目，建设周期36个月，内部收益率(税后)为14.38%，投资回收期(税后，含建设期)为7.85年。
拟执行股票激励计划，增强员工激励力度：
公司11月11日发布《2021年限制性股票激励计划(草案)》，拟向激励对象授予的限制性股票数量为141.68万股，约占本激励计划公告时公司股本总额14168万股的1%，第一个解除限售期2022年公司营业收入总额不低于16亿元，第二个解除限售期2023年公司营业收入总额不低于18亿元，第三个解除限售期2024年公司营业收入总额不低于20亿元。员工持股计划有助于增强员工激励，提升公司竞争力。
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