制程“卷”进小数点时代(2)
台积电刘德音曾表示，全球28nm芯片是供大于求，而实际情况完全出乎台积电的意料，因此，台积电将南京工厂的28nm芯片产能计划中的4万片/月提到10万/月以上。今年开始，台积电不断提高汽车芯片的产能，直到6月底才满足客户的最低需求，而其中的芯片主要是28nm产能。
另外，今年中芯国际两度扩产28nm芯片产能，英特尔宣布投资200亿美元建设晶圆代工厂，主要生产制造10nm以上制程的芯片。全球几大半导体公司拼命厮杀，都希望自家率先拿下制造工艺布局的制高点。而目前的情况却是需求市场跟不上，试产到量产的飞跃越来越困难。
技术进步始终值得尊重
目前，硅晶圆单位面积能容纳的电晶体数目，已将逼近硅的物理极限。近年科学界积极寻找能取代硅的二维材料，挑战1nm以下的制程。今年5月，中国台湾大学、台积电和麻省理工发现在二维材料上搭配半金属铋物质（Bi）的电极，能大幅降低电阻并提高传输电流，它们认为这将成为突破1nm极限的关键技术。
IMEC在会议上还表示，在2nm工艺中，将使用继7nm、5nm和3nm之后的第四代EUV光刻，而14是其延伸。从10开始，预计将采用NA（High Numerical Aperture，高数值孔径技术）= 0.55的高NA EUV光刻，而非NA = 0.33的传统 EUV。IMEC 和 ASML共同开发该工艺，2023年将从ASML引入第一个高NA原型。在高NA EUV曝光设备的情况下，IMEC预计2026年才能引入量产线。
现在，业界已经不再唯“Xnm”而论，一方面是因为这个数字越来越不值得信赖，标准各有差异；另一方面，用数字来约束科学将使努力无意义，这是一个半导体界走向理性的信号。
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